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芯力特LIN收發(fā)器芯片SIT1021使能端口SLP_N抗干擾設(shè)計(jì)

SIT1021具有超低功耗休眠模式,芯片在休眠模式下,流過(guò)VBAT腳電流典型值僅為3uA;SLP_N腳控制芯片進(jìn)入正常工作模式和休眠模式,當(dāng)SLP_N腳為高電平時(shí),芯片進(jìn)入正常工作模式;當(dāng)SLP_N腳為低電平時(shí),芯片進(jìn)入休眠模式;SLP_N腳內(nèi)置弱下拉(國(guó)外同類芯片一樣內(nèi)置弱下拉),較容易受外界干擾影響,上電后用手觸摸此管腳能夠引起芯片進(jìn)入正常工作模式;這樣如果在干擾比較強(qiáng)的應(yīng)用環(huán)境中SLP_N端口可能會(huì)受干擾被誤觸發(fā),造成功能不良。SIT1021管腳圖如下:

 

 

有客戶在使用SIT1021時(shí)發(fā)現(xiàn),上電瞬間SLP_N端口有一個(gè)幅值為2.8V尖峰電壓,導(dǎo)致芯片由上電模式進(jìn)入休眠模式,如下圖(綠色通道為SLP_N腳波形、藍(lán)色通道為INH腳波形):

 

 

測(cè)量此尖峰電壓,超過(guò)2V幅值的電壓持續(xù)時(shí)間為6us左右,滿足芯片由上電模式進(jìn)入正常工作模式高電平要求(高電平閾值為2V~7V,持續(xù)時(shí)間2us~10us),當(dāng)干擾尖峰過(guò)后,SLP_N被拉低從而進(jìn)入休眠模式,導(dǎo)致INH腳關(guān)閉輸出,控制MCU供電的LDO使能腳被置低,關(guān)閉輸出,MCU掉電;不能收發(fā)數(shù)據(jù),導(dǎo)致功能異常(國(guó)外同類芯片也會(huì)出現(xiàn)此現(xiàn)象)。解決方法為:在SLP_N腳對(duì)GND并聯(lián)一個(gè)470nF~1uF電容濾波,將干擾幅值濾波到SLP_N低電平閾值以下(閾值為-0.3V~0.8V),下圖是在SLP_N并聯(lián)470nF電容后干擾的波形:

 

 

干擾幅值(綠色通道)由原來(lái)的2.8V降低為0.33V左右,此時(shí)INH(藍(lán)色通道)輸出高,各功能均能正常工作。

此外為了加強(qiáng)芯片的抗干擾能力,可在芯片VBAT腳對(duì)GND腳接一個(gè)100nf電容和一個(gè)大容量電容,也可以在VBAT上串一個(gè)磁珠。

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